Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, IMBF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

64,29 kr

(exkl. moms)

80,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 476 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 964,29 kr
10 - 2461,04 kr
25 - 4958,46 kr
50 - 9955,78 kr
100 +51,97 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-6950
Tillv. art.nr:
IMBF170R450M1XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

64A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

IMBF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

Optimized for fly-back topologies

12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers

Very low switching losses

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

Fully controllable dV/dt for EMI optimization

Relaterade länkar