Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

18 950,00 kr

(exkl. moms)

23 690,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +18,95 kr18 950,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3790
Tillv. art.nr:
IPB032N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

166A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

3.2mΩ

Kanalläge

N

Maximal effektförlust Pd

187W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

76nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET är speciellt utformad för synkron likriktelse i telekomblock inklusive Or-ing, hot-swap och batteriskydd samt för serverströmförsörjningstillämpningar. Enheten har en lägre RDS(on) på 22 % jämfört med liknande enheter, en av de största bidragsgivarna till denna branschledande FOM är det låga motståndet i påläge som ger den högsta nivån av effekttäthet och effektivitet.

Minskade kopplings- och ledningsförluster

Färre parallellkoppling krävs

Ökad effekttäthet

Låg spänningsöverspänning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.