Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 75 V Förbättring, 7 Ben, TO-263-7, IMBG AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

48 155,00 kr

(exkl. moms)

60 194,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +48,155 kr48 155,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
248-9314
Tillv. art.nr:
IMBG65R039M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

64A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Serie

IMBG

Kapseltyp

TO-263-7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon SiC MOSFET is a 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology, leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, the 650 V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use, suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Optimized switching behaviour at higher currents

Commutation robust fast body diode with low Qf

Superior gate oxide reliability

Tj,max-175°C and excellent thermal behaviour

Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

Increased avalanche capability

Compatible with standard drivers

Kelvin source provides upto 4 times lower switching losses

Relaterade länkar