Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-6902
- Tillv. art.nr:
- IPB35N10S3L26ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
58,35 kr
(exkl. moms)
72,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 796 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 29,175 kr | 58,35 kr |
| 20 - 48 | 25,145 kr | 50,29 kr |
| 50 - 98 | 23,575 kr | 47,15 kr |
| 100 - 198 | 21,95 kr | 43,90 kr |
| 200 + | 20,385 kr | 40,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6902
- Tillv. art.nr:
- IPB35N10S3L26ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS är en effekt-MOSFET för fordonstillämpningar. Driftkanalen är N. Den är AEC Q101-kvalificerad. MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning. Grön produkt (RoHS-kompatibel) och den är 100 % Avalanche-testad.
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101