Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

49,50 kr

(exkl. moms)

61,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1824,75 kr49,50 kr
20 - 4821,28 kr42,56 kr
50 - 9820,05 kr40,10 kr
100 - 19818,59 kr37,18 kr
200 +17,25 kr34,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-6902
Tillv. art.nr:
IPB35N10S3L26ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

Relaterade länkar