Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUT AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 229-1812
Tillv. art.nr:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUT AEC-Q101

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

25 065,00 kr

(exkl. moms)

31 330,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 15 000 enhet(er) från den 29 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	5,013 kr	25 065,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 229-1812
Tillv. art.nr:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	IAUT
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	13mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	68W
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp PQFN
	Serie IAUT
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 68W
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUZ40N10S5N130ATMA1

Infineon IAUT-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUZ40N10S5N130ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanaltransistor med hög strömstyrka och förstärkningsläge som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver robust grindhantering och betydande kontinuerlig strömkapacitet.

Funktioner och fördelar:

• 100 V drain-source-klassning möjliggör högre DC-DC-omvandlingsspänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A som stöder kontinuerlig drift vid hög belastning
• 13 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster vid omkoppling
• 68 W effektförlust ger större värmeutrymme
• ±20 V grindkällgräns ger tolerans för grinddrivningssvingningar
• Temperaturområde −55 °C till +175 °C säkerställer drift i tuffa miljöer

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlarsteg i nätaggregat
• Idealisk för högströmsomkoppling i fordonsmiljöer
• Används för strömhantering i delsystem för elfordon
• Kan användas för ytmonterade konstruktioner som kräver blyfri förpackning
• Används med batterihantering och distributionskretsar

Vilken typ av förpackning använder den för kretskortsmontering?

Den levereras i en blyfri PQFN-kapsel avsedd för ytmontering.

Vilka grinddrivaröverväganden är viktiga för tillförlitlig omkoppling?

Gate-exkursionerna måste ligga inom ±20 V för att undvika gate-dielektrisk påfrestning och säkerställa säker drift.

Hur påverkar värmehanteringen kontinuerlig strömkapacitet?

Effektförlusten på 68 W indikerar att enheten kan hantera betydande värme, tillräckliga värmeledningar för kretskort och kopparyta krävs för att upprätthålla en kontinuerlig dräneringsström på 40 A.

Vilka miljöbegränsningar styr användningen under extrema förhållanden?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till +175 °C, vilket möjliggör användning över ett brett intervall av omgivningstemperaturer och förhöjda temperaturer.