Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-6892
- Tillv. art.nr:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
55,10 kr
(exkl. moms)
68,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 314 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 27,55 kr | 55,10 kr |
| 20 - 48 | 23,13 kr | 46,26 kr |
| 50 - 98 | 21,505 kr | 43,01 kr |
| 100 - 198 | 20,16 kr | 40,32 kr |
| 200 + | 18,535 kr | 37,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6892
- Tillv. art.nr:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbrygga | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbrygga | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS är en effekt-MOSFET för fordonstillämpningar. Driftkanalen är N. Den är AEC Q101-kvalificerad. MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning. Grön produkt (RoHS-kompatibel) och den är 100 % Avalanche-testad.
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 44 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 390 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, MOSFET, 45 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC45N04S6L063H AEC-Q101