Infineon N Kanal, MOSFET, 390 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-163
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N007TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
225,12 kr
(exkl. moms)
281,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 45,024 kr | 225,12 kr |
| 50 - 95 | 42,762 kr | 213,81 kr |
| 100 + | 39,648 kr | 198,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-163
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N007TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 390A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Kapseltyp | PG-LHDSO-10-3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 10 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 206W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 390A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Kapseltyp PG-LHDSO-10-3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 10 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximal effektförlust Pd 206W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 390 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning – IAUCN04S6N007TATMA1
Detta halvledarrelä, utformat för industriella tillämpningar, erbjuder en imponerande belastningsströmkapacitet på 30 A. Den fungerar effektivt inom en belastningsspänning Måtten är kompakta, mäter 95 mm i höjd, 45 mm i bredd och 135,5 mm i djup, vilket underlättar installation på standard DIN-skenor.
Funktioner & fördelar
• Hög strömkapacitet med en maximal belastning på 30 A
• Fungerar effektivt vid upp till 600 V AC
• Har MOSFET-teknik för tillförlitlig omkoppling
• Styrspänningsområde på 4 till 30 V DC ökar flexibiliteten
• Snabb omkopplingstid på 1 ms ökar reaktionsförmågan
• Utformad för montering sida vid sida, vilket sparar utrymme
Användningsområden
• Används för motorstyrning i automationssystem
• Används i uppvärmning för exakt reglering
• Idealisk för belysningsstyrning i industriella miljöer
• Används vid strömomvandlingsuppgifter i olika elektronik
• Används i pumpstyrning för effektiv drift
Vilket driftstemperaturområde stöder denna enhet?
Den fungerar effektivt i miljöer från -25 °C till +60 °C, vilket säkerställer lämplighet för olika applikationer.
Hur hanterar detta halvledarrelä elektromagnetisk kompatibilitet?
Den följer strikta EMC-standarder, med förmåga att motstå ledningsbaserade och fältbaserade störningar, vilket säkerställer stabil drift i industriella miljöer.
Vilket åtdragningsmoment krävs för huvudkontakterna?
Det rekommenderade åtdragningsmomentet för huvudkontakterna är mellan 2 och 2,5 N·m, vilket säkerställer säkra elektriska anslutningar under installation.
Vilken typ av terminaler använder denna enhet för anslutningar?
Den har skruvterminaler för både huvudströmkretsen och extra styrkretsar, vilket underlättar tillförlitliga och säkra elektriska anslutningar.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
