Infineon N Kanal, MOSFET, 390 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-163
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N007TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
225,12 kr
(exkl. moms)
281,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 21 juni 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 45,024 kr | 225,12 kr | - |
| 50 - 95 | 42,762 kr | 213,81 kr | 5% |
| 100 + | 39,648 kr | 198,24 kr | 11% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-163
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N007TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 390A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Kapseltyp | PG-LHDSO-10-3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 10 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 206W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 390A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Kapseltyp PG-LHDSO-10-3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 10 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 206W | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 390 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning – IAUCN04S6N007TATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilket driftstemperaturområde stöder denna enhet?
Hur hanterar detta halvledarrelä elektromagnetisk kompatibilitet?
Vilket åtdragningsmoment krävs för huvudkontakterna?
Vilken typ av terminaler använder denna enhet för anslutningar?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
