Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-277
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N009TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 103,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
200,26 kr
(exkl. moms)
250,33 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 40,052 kr | 200,26 kr | - |
| 50 - 95 | 37,99 kr | 189,95 kr | 103,10 kr |
| 100 - 495 | 35,236 kr | 176,18 kr | 481,60 kr |
| 500 - 995 | 32,48 kr | 162,40 kr | 3 786,00 kr |
| 1000 + | 31,204 kr | 156,02 kr | 8 848,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-277
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N009TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-LHDSO-10-2 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 10 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 178W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-LHDSO-10-2 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 10 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 178W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 330 A maximal kontinuerlig drain-ström, 40 V maximal drain-källspänning - IAUCN04S6N009TATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Hur är överspänningsmotståndet klassat för denna enhet?
Vilken är den förväntade mekaniska livslängden vid användning av hjälpkontakter?
Vilka miljöförhållanden tål detta relä under lagring?
Hur fungerar reläet under höga efterfrågningshastigheter?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 390 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
