Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-278
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N017TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 67,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
135,74 kr
(exkl. moms)
169,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 1 995 enhet(er) från den 09 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 27,148 kr | 135,74 kr | - |
| 50 - 95 | 25,804 kr | 129,02 kr | 67,20 kr |
| 100 - 495 | 23,90 kr | 119,50 kr | 324,80 kr |
| 500 - 995 | 21,996 kr | 109,98 kr | 2 576,00 kr |
| 1000 + | 21,124 kr | 105,62 kr | 6 024,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-278
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S6N017TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Kapseltyp | PG-LHDSO-10-1 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 10 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 130W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Kapseltyp PG-LHDSO-10-1 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 10 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 130W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 200 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning – IAUCN04S6N017TATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka typer av elektriska anslutningar finns tillgängliga med denna enhet?
Hur bidrar detta relä till driftsäkerheten?
Vilken betydelse har miljöspecifikationerna för denna produkt?
Kan den hantera flera omkopplingscykler utan fel?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 390 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
