STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 248-9688
- Tillv. art.nr:
- STP65N045M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 50 enheter)*
3 801,40 kr
(exkl. moms)
4 751,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 76,028 kr | 3 801,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-9688
- Tillv. art.nr:
- STP65N045M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | STP | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Längd | 28.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie STP | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.4mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Längd 28.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics-produkt är en N-kanals effekt-MOSFET baserad på den mest innovativa superjunction MDmesh DM9-tekniken, lämplig för MOSFET med medel- eller högspänning med mycket låg RDS på per område kopplad med en snabb återställningsdiod. Den silikonbaserade DM9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera dräneringar som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur. Den resulterande produkten har en av de lägsta påslagningsresistanserna och reducerade grindladdningsvärden, bland alla silikonbaserade snabbkopplande superkopplings-effekt-MOSFET-transistorer, vilket gör den särskilt lämplig för applikationer som kräver överlägsen effekttäthet och enastående effektivitet.
Världens bästa FOM RDS på Qg bland kiselbaserade enheter
Högre VDSS-klassning
Högre dv/dt-kapacitet
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Lätt att köra
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP