STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 162,50 kr

(exkl. moms)

21 452,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25006,865 kr17 162,50 kr
5000 +6,632 kr16 580,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
239-6329
Tillv. art.nr:
STD86N3LH5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-252

Serie

STD

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

70W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

UL

Bredd

6.2mm

Höjd

2.4mm

Längd

6.6mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

STMicroelectronics MOSFET-enhet är en N-kanalig effekt-MOSFET som utvecklats med STMicroelectronics STripFET H5-teknik. Denna enhet har optimerats för att uppnå mycket låg påslagningsresistans.

Låg påslagningsresistans RDSon

Hög motståndskraft mot laviner

Låga effektförluster för grinddrivning

30 V Vdss

80 A ID

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.