DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 101 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-7545
- Tillv. art.nr:
- DMT10H9M9LCT
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
79,60 kr
(exkl. moms)
99,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 105 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 5 | 15,92 kr | 79,60 kr | - |
| 10 - 20 | 14,202 kr | 71,01 kr | 10% |
| 25 - 95 | 13,932 kr | 69,66 kr | 12% |
| 100 - 495 | 11,244 kr | 56,22 kr | 29% |
| 500 + | 10,932 kr | 54,66 kr | 31% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7545
- Tillv. art.nr:
- DMT10H9M9LCT
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 101A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.014Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.66mm | |
| Höjd | 31.24mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 101A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.014Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.66mm | ||
Höjd 31.24mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.82mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gör en ny generation av N-kanalförstärkningsläge MOSFET, utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller snabb switchning, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i TO220AB-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.
Maximal dränering till källspänning är 100 V och maximal grind till källspänning är ±20 V. Den erbjuder låg påslagningsresistans Den har hög BVDSS-klassning för strömtillämpningar Den erbjuder låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 101 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-220 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 99 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 130 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, N-kanals MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, ITO-220, DMG AEC-Q101