onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- RS-artikelnummer:
- 214-8912
- Tillv. art.nr:
- NTP7D3N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
1 387,80 kr
(exkl. moms)
1 734,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 27,756 kr | 1 387,80 kr |
| 100 - 100 | 26,703 kr | 1 335,15 kr |
| 150 + | 26,342 kr | 1 317,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8912
- Tillv. art.nr:
- NTP7D3N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 101A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | NTP | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.75mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.53mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 101A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie NTP | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.75mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.53mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor NTP-serien är en n-kanal MOSFET med skärmad grind-MOSFET-teknik som har en dränerings-till-källspänning på 150 V. Den används vanligtvis i synkron likriktare och mikro-solcellsväxelriktare och så vidare.
Blyfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- onsemi N Kanal, MOSFET, 74.3 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 4 Ben, TO-263, NTB7D
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 101 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 5 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220