DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 146-4818
- Tillv. art.nr:
- DMNH4005SCT
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
99,58 kr
(exkl. moms)
124,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 19,916 kr | 99,58 kr |
| 15 - 25 | 15,502 kr | 77,51 kr |
| 30 + | 14,712 kr | 73,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4818
- Tillv. art.nr:
- DMNH4005SCT
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 165W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.66mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.01mm | |
| Höjd | 4.82mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 165W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.66mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.01mm | ||
Höjd 4.82mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101