DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 146-4757
- Tillv. art.nr:
- DMPH6050SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
75,79 kr
(exkl. moms)
94,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,579 kr | 75,79 kr |
| 100 - 240 | 6,933 kr | 69,33 kr |
| 250 - 490 | 6,541 kr | 65,41 kr |
| 500 - 990 | 6,014 kr | 60,14 kr |
| 1000 + | 5,533 kr | 55,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4757
- Tillv. art.nr:
- DMPH6050SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.2 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 26 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DI5060, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMP AEC-Q101
