DiodesZetex 2 Typ P Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- RS-artikelnummer:
- 246-6827
- Tillv. art.nr:
- DMP2110UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 246-6827
- Tillv. art.nr:
- DMP2110UFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | UDFN-2020 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.168Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.82W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp UDFN-2020 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.168Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 0.82W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex gör en MOSFET med dubbelt P-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i U-DFN2020-6-förpackning och 0,6 mm profil gör den idealisk för lågprofiltillämpningar. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.
Maximal dränering till källspänning är 20 V. Maximal grind till källspänning är ±12 V. Den har kretskortsfotavtryck på 4 mm^2. Den erbjuder låg grindströskelspänning Det ger en ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V, UDFN-2020-6
- DiodesZetex 2 N Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 N Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 N Kanal, MOSFET, 270 mA 100 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100