DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 30 V, UDFN-2020-6
- RS-artikelnummer:
- 254-8593
- Tillv. art.nr:
- DMC3032LFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
91,375 kr
(exkl. moms)
114,225 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,655 kr | 91,38 kr |
| 50 - 75 | 3,58 kr | 89,50 kr |
| 100 - 225 | 2,916 kr | 72,90 kr |
| 250 - 975 | 2,863 kr | 71,58 kr |
| 1000 + | 2,352 kr | 58,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8593
- Tillv. art.nr:
- DMC3032LFDB-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | UDFN-2020-6 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp UDFN-2020-6 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Den är tillämplig inom karossstyrningselektronik och p
Låg påslagningsresistans
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Halogen- och antimonfri
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 30 V, UDFN-2020-6
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V, UDFN-2020-6
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
