DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020 AEC-Q101

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
246-7515
Tillv. art.nr:
DMN29M9UFDF-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

UDFN-2020

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

41mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.73W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.63mm

Längd

2.05mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodesZetex gör en MOSFET med N-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera motståndet i påläge (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i U-DFN2020-6-förpackning och 0,6 mm profil gör den idealisk för lågprofiltillämpningar. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.

Maximal dränering till källspänning är 20 V. Maximal grind till källspänning är ±12 V. Den har kretskortsfotavtryck på 4 mm^2. Den erbjuder låg grindströskelspänning Det ger en ESD-skyddad grind

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.