DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

94,075 kr

(exkl. moms)

117,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 675 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 253,763 kr94,08 kr
50 - 753,687 kr92,18 kr
100 - 2252,733 kr68,33 kr
250 - 9752,657 kr66,43 kr
1000 +2,598 kr64,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
246-7497
Tillv. art.nr:
DMC2053UFDBQ-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

UDFN-2020

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.056Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.7nC

Maximal effektförlust Pd

1.14W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The DiodesZetex makes a complementary pair enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2020-6 packaging and 0.6mm profile makes it ideal for low profile applications . It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V Maximum gate to source voltage is ±12 V It has PCB Footprint of 4mm^2 It offers low gate threshold voltage It provides an ESD protected Gate

Relaterade länkar