Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 244-8543
Tillv. art.nr:: IPD050N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

30 362,50 kr

(exkl. moms)

37 952,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 04 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	12,145 kr	30 362,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 244-8543
Tillv. art.nr:: IPD050N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Serie	IPD
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Serie IPD
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ
	Kanalläge N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD050N10N5ATMA1

Infineon IPD-serien MOSFET, 75 V maximal drain-källspänning, 180 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD050N10N5ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i krävande miljöer, vilket ger en bred drifttemperaturtolerans och överensstämmelse med industrins miljöstandarder.

Funktioner och fördelar:

• 75 V maximal drain-källspänning möjliggör omkoppling vid måttlig spänning
• 180 A kontinuerlig dräneringsström stöder tillämpningar med hög ström
• Låg påslagningsresistans på 3 mΩ minimerar ledningsförluster
• 81 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara krav på grinddrivning
• 20 V maximalt gate-source-klassning rymmer robust gate-drivning

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsenheter
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i industriell utrustning
• Används för motordriftsteg som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och skydd
• Används med strömomkopplingsmatriser på ytmonterade enheter

I vilket temperaturområde kan den fungera?

Den fungerar i ett utökat intervall från -55 °C till 175 °C och stöder tuffa termiska förhållanden.

Hur påverkar förpackningen montering och termisk prestanda?

Ytmonteringspaketet TO-252 ger ett kompakt kretskortsfotavtryck och underlättar värmeöverföring till kretskortet för värmehantering.

Vilka diodegenskaper är relevanta för framåtriktad ledning?

Den inneboende dioden uppvisar en framåtvänd spänning på cirka 1,3 V under ledningshändelser.

Är den lämplig för tillämpningar med begränsningar av miljömaterial?

Den uppfyller RoHS-kraven och uppfyller restriktioner för vissa farliga ämnen.

Vilken kanalorientering och vilket läge använder den?

Den använder en N-typ-kanal som arbetar i förstärkningsläge för standardströmomkopplingsbeteende.