Sök efter MPN

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Name: Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
Brand: Infineon
SKU: 244-8546
Availability: InStock

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

52,19 kr

(exkl. moms)

65,238 kr

(inkl. moms)

I lager

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Serie	IPD
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3mΩ
	Kanalläge	P
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Serie IPD
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ
	Kanalläge P
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor har Pb-fri blyplätering, RoHS-kompatibel och är halogenfri enligt IEC61249-2-21.

P-kanal

Mycket låg på-resistans RDS(on)

100 % avalanche-testade

Normal nivå

Förbättringsläge

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.