Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-2881
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR540ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
60,48 kr
(exkl. moms)
75,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 764 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 30,24 kr | 60,48 kr |
| 20 - 48 | 27,215 kr | 54,43 kr |
| 50 - 98 | 25,425 kr | 50,85 kr |
| 100 - 198 | 23,575 kr | 47,15 kr |
| 200 + | 21,785 kr | 43,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-2881
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR540ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRFR540ZTRL specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficientand reliable device for use in Automotive applications and a widevariety of other applications.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance
175°C operating temperature
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Lead free, RoHS compliant
Automotive qualified
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 35 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 24 A 200 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 43 A 60 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 59 A 55 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101