Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-0890
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5305TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
21 246,00 kr
(exkl. moms)
26 558,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 10,623 kr | 21 246,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-0890
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5305TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 230A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 230A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET är speciellt utformad för fordonstillämpningar, denna Cellular Planar-design av HEXFET® Power MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå låg påslagningsresistans per kiselarea.
Avancerad planarteknik
Lågt motstånd vid tändning
Dynamisk dv/dt-klassning
175°C Driftstemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101