Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

7 773,00 kr

(exkl. moms)

9 717,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,591 kr7 773,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-2270
Tillv. art.nr:
IPN60R600PFD7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPN

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Maximal effektförlust Pd

81W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon 600 V CoolMOSTM PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) kompletterar CoolMOSTM 7-erbjudandet för konsumenttillämpningar. Denna produktfamilj är skräddarsydd för ultrahög effekttäthet samt högsta effektivitet.

Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM RDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss

Låga omkopplingsförluster Eoss, utmärkt termisk beteende

Fast Body-diod

Brett sortiment av RDS(on) och paketvariationer

Möjliggör konstruktioner med hög effekttäthet och små formfaktorer

Möjliggör effektivitetsökningar vid högre omkopplingsfrekvenser

Utmärkt motståndskraft vid kommutering

Enkelt att välja rätt delar och optimera designen

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.