Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2546
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
302,60 kr
(exkl. moms)
378,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 6,052 kr | 302,60 kr |
| 100 - 200 | 4,661 kr | 233,05 kr |
| 250 - 450 | 4,357 kr | 217,85 kr |
| 500 - 1200 | 4,057 kr | 202,85 kr |
| 1250 + | 3,752 kr | 187,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2546
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 6.2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.8mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är utformad för att hantera typiska utmaningar på SMPS-marknaden med låg effekt, genom att erbjuda utmärkta prestanda och användarvänlighet, vilket möjliggör förbättrade formfaktorer och priskonkurrenskraft. SOT-223-kapseln är ett kostnadseffektivt en-till-en-drop-in-alternativ till DPAK som också möjliggör minskat fotavtryck i vissa konstruktioner. Den kan placeras på ett typiskt DPAK-fotavtryck och visar jämförbar termisk prestanda.Denna kombination gör CoolMOSTM P7 i SOT-223 perfekt för sina målapplikationer.
Bäst passande prestanda Superjunction-teknik
Kostnadseffektiv förpackningslösning
Klassens bästa pris/prestanda-förhållande
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN70R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS