Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2546
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
302,60 kr
(exkl. moms)
378,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 6,052 kr | 302,60 kr |
| 100 - 200 | 4,661 kr | 233,05 kr |
| 250 - 450 | 4,357 kr | 217,85 kr |
| 500 - 1200 | 4,057 kr | 202,85 kr |
| 1250 + | 3,752 kr | 187,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2546
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 6.2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPN-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 4 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN70R1K4P7SATMA1
Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonteringstillämpningar i industriella termiska miljöer. Den är avsedd för att styra strömmen i kretsar som kräver en förstärkningstransistor som kan hantera höga dränerings-till-källspänningar och kontinuerlig ström samtidigt som den drivs över ett brett temperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• Klassning för 700 V avtappning-till-källa möjliggör högspänningsswitchning
• 4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 1.4 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 6.2 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 30 V gate-tolerans ger robust gate-drivmarginal
• 4.7 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergi
• 4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 1.4 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 6.2 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 30 V gate-tolerans ger robust gate-drivmarginal
• 4.7 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergi
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsomkopplingskretsar i strömförsörjningar
• Idealisk för motordrivningssteg med medelstor effekt med ytmontering
• Används för flyback- och boostomvandlarelement
• Kan användas för kontrollerad lastväxling i industriell utrustning
• Lämplig för kretsar som kräver drift inom ett brett temperaturområde
• Idealisk för motordrivningssteg med medelstor effekt med ytmontering
• Används för flyback- och boostomvandlarelement
• Kan användas för kontrollerad lastväxling i industriell utrustning
• Lämplig för kretsar som kräver drift inom ett brett temperaturområde
Vilka extrema temperaturer tål den i drift?
Den fungerar tillförlitligt från -40 °C upp till 150 °C.
Hur många anslutningsstift finns tillgängliga för layoutöverväganden?
Enheten levereras med tre elektriska terminaler för kretskortsmontering.
Vilken typ av förpackning bör specificeras för ytmontering?
Den använder ett SOT-223-paket som är lämpligt för ytmonterade lödprocesser.
Vad är det typiska framsteg om den integrerade dioden leder?
Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 0,9 V när den inneboende dioden leder.
Hur påverkar grindladdningen omkopplingsprestanda?
En typisk grindladdning på 4,7 nC begränsar grinddrivarenergi och påverkar växlingshastighet och förluster.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN70R