Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 139,10 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

302,60 kr

(exkl. moms)

378,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
50 - 506,052 kr302,60 kr-
100 - 2004,661 kr233,05 kr139,10 kr
250 - 4504,357 kr217,85 kr423,75 kr
500 - 12004,057 kr202,85 kr997,50 kr
1250 +3,752 kr187,60 kr2 875,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2546
Tillv. art.nr:
IPN70R1K4P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

IPN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

6.2W

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.8mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.7mm

Längd

6.7mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IPN-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 4 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN70R1K4P7SATMA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonteringstillämpningar i industriella termiska miljöer. Den är avsedd för att styra strömmen i kretsar som kräver en förstärkningstransistor som kan hantera höga dränerings-till-källspänningar och kontinuerlig ström samtidigt som den drivs över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:


• Klassning för 700 V avtappning-till-källa möjliggör högspänningsswitchning
• 4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 1.4 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 6.2 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 30 V gate-tolerans ger robust gate-drivmarginal
• 4.7 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergi

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsomkopplingskretsar i strömförsörjningar
• Idealisk för motordrivningssteg med medelstor effekt med ytmontering
• Används för flyback- och boostomvandlarelement
• Kan användas för kontrollerad lastväxling i industriell utrustning
• Lämplig för kretsar som kräver drift inom ett brett temperaturområde

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?


Den fungerar tillförlitligt från -40 °C upp till 150 °C.

Hur många anslutningsstift finns tillgängliga för layoutöverväganden?


Enheten levereras med tre elektriska terminaler för kretskortsmontering.

Vilken typ av förpackning bör specificeras för ytmontering?


Den använder ett SOT-223-paket som är lämpligt för ytmonterade lödprocesser.

Vad är det typiska framsteg om den integrerade dioden leder?


Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 0,9 V när den inneboende dioden leder.

Hur påverkar grindladdningen omkopplingsprestanda?


En typisk grindladdning på 4,7 nC begränsar grinddrivarenergi och påverkar växlingshastighet och förluster.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.