Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-2271
- Tillv. art.nr:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
73,14 kr
(exkl. moms)
91,425 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 415 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 14,628 kr | 73,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-2271
- Tillv. art.nr:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) kompletterar CoolMOSTM 7-erbjudandet för konsumenttillämpningar. Denna produktfamilj är skräddarsydd för ultrahög effekttäthet samt högsta effektivitet.
Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM RDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss
Låga omkopplingsförluster Eoss, utmärkt termisk beteende
Fast Body-diod
Brett sortiment av RDS(on) och paketvariationer
Möjliggör konstruktioner med hög effekttäthet och små formfaktorer
Möjliggör effektivitetsökningar vid högre omkopplingsfrekvenser
Utmärkt motståndskraft vid kommutering
Enkelt att välja rätt delar och optimera designen
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.1 A 950 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.1 A 75 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN