Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-1596
- Tillv. art.nr:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
88,26 kr
(exkl. moms)
110,33 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 205 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,652 kr | 88,26 kr |
| 50 - 120 | 14,65 kr | 73,25 kr |
| 125 - 245 | 13,798 kr | 68,99 kr |
| 250 - 495 | 12,678 kr | 63,39 kr |
| 500 + | 11,828 kr | 59,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-1596
- Tillv. art.nr:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET 800 V CoolMOSTM P7-serie sätter en ny riktmärke inom 800 V-superkopplingsteknik och kombinerar klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet, vilket är resultatet av Infineons mer än 18 års banbrytande innovation inom superkopplingsteknik.
Klassens bästa FOM RDS(on) * Eoss
Klassens bästa DPAK RDS(on)
Klassens bästa V(GS)th på 3 V
Helt optimerad portfölj
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15.1 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101