Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 870,00 kr

(exkl. moms)

11 087,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,548 kr8 870,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-1595
Tillv. art.nr:
IPD80R1K2P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

P

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET 800 V CoolMOSTM P7-serie sätter en ny riktmärke inom 800 V-superkopplingsteknik och kombinerar klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet, vilket är resultatet av Infineons mer än 18 års banbrytande innovation inom superkopplingsteknik.

Klassens bästa FOM RDS(on) * Eoss

Klassens bästa DPAK RDS(on)

Klassens bästa V(GS)th på 3 V

Helt optimerad portfölj

Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.