Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

72,69 kr

(exkl. moms)

90,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 974 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 972,69 kr
10 - 2469,10 kr
25 +66,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-0902
Tillv. art.nr:
IPT012N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

400A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

IPT

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon IPT-serien MOSFET, 800 V maximal drain-källspänning, 400 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT012N08N5ATMA1


Denna MOSFET är en högspännings- och högströmsomkopplingsenhet som är utformad för krävande effektomvandlings- och fordonsmiljöer. Den fungerar som en N-kanalstransistor för styrning av stora DC-laster och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där värmebeständighet och robusta elektriska prestanda krävs.

Funktioner och fördelar:


• 800 V-klassning möjliggör drift av högspänningsomkopplare
• 400 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• Låg Rds(on) på 1.2 mΩ minimerar ledningsförluster
• Effektförlust på 81 W möjliggör hållbar strömhantering
• 80 nC grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingskontroll
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C säkerställer bred värmetolerans

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsväxelriktare
• Idealisk för batterihantering och strömdistribution
• Används med fordonsströmomvandlare som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Kan användas för omkoppling av industriella motordrivningar
• Används för DC/DC-omvandlartopologier med hög strömstyrka

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?


Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa och kräver lämpliga grindstyrningsnivåer inom den gränsen.

Vilket paket bör övervägas för värmehantering?


Ytmonteringspaketet TO‐263 erbjuder en stor yta för värmedynor och värmeavledning på kretskortet.

Hur hanterar komponenten fordonskvalificering?


Den överensstämmer med AEC‐Q101 fordonsstandard för halvledarenheter som används i fordon.

Vilka miljöföreskrifter gäller?


Komponenten uppfyller RoHS-kraven för begränsade farliga ämnen.

Vad är kanalens ledningstyp och omkopplingsriktning?


Det är en N-kanal-enhet konfigurerad för dränering-till-källa-ledning i konventionella högsidiga eller låg-sidiga omkopplararrangemang.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.