Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 244-0901
Tillv. art.nr:: IPT012N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

62 900,00 kr

(exkl. moms)

78 620,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 14 juli 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	31,45 kr	62 900,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 244-0901
Tillv. art.nr:: IPT012N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	400A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	IPT
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.2mΩ
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Kapseltyp TO-263
	Serie IPT
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPT012N08N5ATMA1

Infineon IPT-serien MOSFET, 800 V maximal drain-källspänning, 400 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT012N08N5ATMA1

Denna MOSFET är en högspännings- och högströmsomkopplingsenhet som är utformad för krävande effektomvandlings- och fordonsmiljöer. Den fungerar som en N-kanalstransistor för styrning av stora DC-laster och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där värmebeständighet och robusta elektriska prestanda krävs.

Funktioner och fördelar:

• 800 V-klassning möjliggör drift av högspänningsomkopplare
• 400 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• Låg Rds(on) på 1.2 mΩ minimerar ledningsförluster
• Effektförlust på 81 W möjliggör hållbar strömhantering
• 80 nC grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingskontroll
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C säkerställer bred värmetolerans

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsväxelriktare
• Idealisk för batterihantering och strömdistribution
• Används med fordonsströmomvandlare som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Kan användas för omkoppling av industriella motordrivningar
• Används för DC/DC-omvandlartopologier med hög strömstyrka

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?

Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa och kräver lämpliga grindstyrningsnivåer inom den gränsen.

Vilket paket bör övervägas för värmehantering?

Ytmonteringspaketet TO‐263 erbjuder en stor yta för värmedynor och värmeavledning på kretskortet.

Hur hanterar komponenten fordonskvalificering?

Den överensstämmer med AEC‐Q101 fordonsstandard för halvledarenheter som används i fordon.

Vilka miljöföreskrifter gäller?

Komponenten uppfyller RoHS-kraven för begränsade farliga ämnen.

Vad är kanalens ledningstyp och omkopplingsriktning?

Det är en N-kanal-enhet konfigurerad för dränering-till-källa-ledning i konventionella högsidiga eller låg-sidiga omkopplararrangemang.