Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 319 V, 16 Ben, TO-263, IPT
- RS-artikelnummer:
- 260-2669
- Tillv. art.nr:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1800 enheter)*
83 341,80 kr
(exkl. moms)
104 176,80 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | 46,301 kr | 83 341,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-2669
- Tillv. art.nr:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 319V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.9mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 319W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.81V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.3 mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Höjd | 2.35mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 319V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.9mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximal effektförlust Pd 319W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.81V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.3 mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Höjd 2.35mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFET provides a cooling package for superior thermal performance with an innovative package combined with the key features of the technology which allows best in class products as well as high current rating for high-power density designs.
Increased system efficiency enabling extended battery life time
High power density
Superior thermal performance
Saving in cooling system
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 190 A 319 V TO-263, IPT
- Infineon Typ N Kanal 190 A 150 V TOLG, IPT
- Infineon Typ N Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Typ N Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Typ N Kanal 400 A 800 V TO-263, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 190 A 150 V Förbättring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 190 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 155 A IPT
