Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 319 V, 16 Ben, TO-263, IPT

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1800 enheter)*

57 335,40 kr

(exkl. moms)

71 668,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1800 +31,853 kr57 335,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-2669
Tillv. art.nr:
IPTC039N15NM5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

190A

Maximal källspänning för dränering Vds

319V

Serie

IPT

Kapseltyp

TO-263

Antal ben

16

Maximal drain-källresistans Rds

3.9mΩ

Framåtriktad spänning Vf

0.81V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

319W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

74nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

10.3mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Höjd

2.35mm

Längd

10.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET ger ett kylpaket för överlägsen termisk prestanda med ett innovativt paket kombinerat med de viktigaste funktionerna i tekniken som möjliggör de bästa produkterna i klassen samt hög strömklassning för konstruktioner med hög effekttäthet.

Ökad systemeffektivitet som möjliggör längre batteritid

Hög effekttäthet

Överlägsen termisk prestanda

Besparingar i kylsystem

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.