Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9303
- Tillv. art.nr:
- IRL60HS118
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
73,25 kr
(exkl. moms)
91,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 7 880 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,65 kr | 73,25 kr |
| 50 - 120 | 13,194 kr | 65,97 kr |
| 125 - 245 | 12,32 kr | 61,60 kr |
| 250 - 495 | 11,558 kr | 57,79 kr |
| 500 + | 10,662 kr | 53,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9303
- Tillv. art.nr:
- IRL60HS118
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IRFH-serien MOSFET, 81 W maximal effektförlust, 40 V maximal drain-källspänning - IRL60HS118
Denna MOSFET är en ytmonterad strömbrytare som är utformad för högströms- och höghastighetsomkoppling inom fordons- och industriell elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver robust värmehantering och låga ledningsförluster samtidigt som den uppfyller fordonsklassade elektriska krav.
Funktioner och fördelar:
• 0.7 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för effektivitetsförbättringar
• Kontinuerlig dräneringsström på 11 A stöder kontinuerlig drift med hög ström
• 80nC grindladdning möjliggör snabb omkoppling för höghastighetskretsar
• 81 W effektförlust möjliggör betydande termisk belastningskapacitet
• 40 V drain-source-klassning lämpar sig för mellanspänningseffektsteg
• 20 V gate-source-gränsen ger tolerans för robusta gate-drivnivåer
• Kontinuerlig dräneringsström på 11 A stöder kontinuerlig drift med hög ström
• 80nC grindladdning möjliggör snabb omkoppling för höghastighetskretsar
• 81 W effektförlust möjliggör betydande termisk belastningskapacitet
• 40 V drain-source-klassning lämpar sig för mellanspänningseffektsteg
• 20 V gate-source-gränsen ger tolerans för robusta gate-drivnivåer
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i fordonssystem
• Används med motorstyrningssteg som kräver snabb omkoppling
• Kan användas för lastomkoppling i industriell elektronik
• Lämplig för ytmonterad montering på kompakta kraftkort
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i fordonssystem
• Används med motorstyrningssteg som kräver snabb omkoppling
• Kan användas för lastomkoppling i industriell elektronik
• Lämplig för ytmonterad montering på kompakta kraftkort
Vilken typ av förpackning använder den för montering?
Den levereras i en 8-stifts PQFN-kapsel avsedd för ytmontering.
Hur fungerar den i extrema temperaturer?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C för krävande miljöer.
Vilken kanalpolaritet bör förväntas för designintegrering?
Enheten använder en N-kanalkonduktionskanal som är lämplig för låg-sidiga och synkrona topologier.
Vilken tillförlitlighetsstandard gäller för fordonsanvändning?
Den uppfyller AEC-Q101-kvalitetskriterier för halvledarkomponenter för fordon.
Uppfyller den restriktioner för miljöfaror?
Den uppfyller RoHS-kraven för begränsningar av farliga ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V, 6 Ben, PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUT AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101
