Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9297
- Tillv. art.nr:
- IRFH8318TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 128,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
116,48 kr
(exkl. moms)
145,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 885 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,296 kr | 116,48 kr | - |
| 50 - 120 | 20,72 kr | 103,60 kr | 128,80 kr |
| 125 - 245 | 19,308 kr | 96,54 kr | 498,50 kr |
| 250 - 495 | 18,01 kr | 90,05 kr | 1 321,50 kr |
| 500 + | 16,778 kr | 83,89 kr | 3 259,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9297
- Tillv. art.nr:
- IRFH8318TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 192A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IRFH | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 192A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IRFH | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons N-kanals effekt-MOSFET IRFH8318TRPBF är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
<
<
Stiftkonfiguration enligt industristandard
Kompatibel med befintliga ytmonteringstekniker
RoHS-kompatibel Innehåller ingen bly, ingen bromid och ingen halogen
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V, 6 Ben, PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUT AEC-Q101