Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

9 764,00 kr

(exkl. moms)

12 204,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +2,441 kr9 764,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
243-9296
Tillv. art.nr:
IRFH8318TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

192A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PQFN

Serie

IRFH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.7mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

81W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons N-kanals effekt-MOSFET IRFH8318TRPBF är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

<

<

Stiftkonfiguration enligt industristandard

Kompatibel med befintliga ytmonteringstekniker

RoHS-kompatibel Innehåller ingen bly, ingen bromid och ingen halogen

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.