Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9275
- Tillv. art.nr:
- ISP25DP06NMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 18%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
44,91 kr
(exkl. moms)
56,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 90 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,982 kr | 44,91 kr | - |
| 50 - 120 | 7,302 kr | 36,51 kr | 18% |
| 125 - 245 | 6,90 kr | 34,50 kr | 23% |
| 250 - 495 | 6,34 kr | 31,70 kr | 29% |
| 500 + | 5,936 kr | 29,68 kr | 33% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9275
- Tillv. art.nr:
- ISP25DP06NMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons P-kanalstransistor för små signaler har blyfri plätering. Drain-strömmen och drain-source-spänningen för MOSFET är -1,9 A respektive -60 V. Den har mycket lågt resistansvärde. Drifttemperaturen är från -55 °C till 150 °C.
Ytmonteringsteknik
Tillgänglighet på logisk nivå
Enkelt gränssnitt till mikrokontrollenhet (MCU)
Snabbväxlande
avalanche-tålighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -3.70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -2.8 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 990 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP