Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
243-9274
Tillv. art.nr:
ISP25DP06NMXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

ISP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons P-kanalstransistor för små signaler har blyfri plätering. Drain-strömmen och drain-source-spänningen för MOSFET är -1,9 A respektive -60 V. Den har mycket lågt resistansvärde. Drifttemperaturen är från -55 °C till 150 °C.

Ytmonteringsteknik

Tillgänglighet på logisk nivå

Enkelt gränssnitt till mikrokontrollenhet (MCU)

Snabbväxlande

avalanche-tålighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.