Nexperia 2 N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D, PSMN013
- RS-artikelnummer:
- 243-4871
- Tillv. art.nr:
- PSMN013-40VLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
128,91 kr
(exkl. moms)
161,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 470 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,891 kr | 128,91 kr |
| 50 - 90 | 12,622 kr | 126,22 kr |
| 100 - 240 | 9,968 kr | 99,68 kr |
| 250 - 490 | 9,766 kr | 97,66 kr |
| 500 + | 8,277 kr | 82,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-4871
- Tillv. art.nr:
- PSMN013-40VLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | LFPAK56D | |
| Serie | PSMN013 | |
| Antal ben | 8 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 46W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp LFPAK56D | ||
Serie PSMN013 | ||
Antal ben 8 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 46W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperia Dual, standardnivå N-kanal MOSFET i ett LFPAK56D-paket (halvbrygga konfiguration), med hjälp av Next power S3-teknik. En intern anslutning görs mellan källan (S1) för High-Side FET till drain (D2) för Low-Side FET, vilket gör enheten idealisk att använda som en halvbro-omkopplare i högpresterande PWM- och utrymmesbegränsade motorstyrningstillämpningar.
Minskad kretskortslayoutkomplexitet
Modulkrympning genom minskat antal komponenter
Lägre parasitisk induktans för att stödja högre effektivitet
Låga effektförluster, hög effekttäthet
Överlägsen avalancheprestanda
Repeterande lavinrörelse
LFPAK-förpackning med kopparklämmor ger hög robusthet och tillförlitlighet
Handhållna elverktyg, bärbara apparater och tillämpningar med begränsat utrymme
Borstlös eller borstad DC-motordrivning
DC-till-DC-system
LED-belysning
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D, PSMN013
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D, PSMN4R2
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 18.2 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33