Nexperia 2 N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, 8 Ben, LFPAK56D
- RS-artikelnummer:
- 240-1816
- Tillv. art.nr:
- BUK9K13-60RAX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
15 916,50 kr
(exkl. moms)
19 896,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 10,611 kr | 15 916,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-1816
- Tillv. art.nr:
- BUK9K13-60RAX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | LFPAK56D | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28.3mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 15V | |
| Maximal effektförlust Pd | 64W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp LFPAK56D | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28.3mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 15V | ||
Maximal effektförlust Pd 64W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias dubbla N-kanal MOSFET på logisk nivå i ett LFPAK56D-paket, med ASFET-teknik (Application Specific) repetitiv avalanche-kiselteknik. Denna produkt har utformats och kvalificerats enligt AEC-Q101 för användning i repetitiva avalanche-tillämpningar.
Helt fordonskvalificerad enligt AEC-Q101 vid 175 °C
Repetitiv avalanche klassad för 30 °C Tj-ökning
Testad mot 1 Bn avalanche-händelser
LFPAK-förpackningsteknik med kopparklämma
Hög robusthet och tillförlitlighet
Gullwing-kablar för hög tillverkningsförmåga och AOI
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 18.2 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D, PSMN013
- Nexperia 2 Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D, PSMN4R2
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, SOT
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
