Nexperia 2 N Kanal, MOSFET, 18.2 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1500 enheter)*

9 666,00 kr

(exkl. moms)

12 082,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1500 +6,444 kr9 666,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
240-1818
Tillv. art.nr:
BUK9K25-40RAX
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

LFPAK56D

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

29mΩ

Maximal effektförlust Pd

32W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.3nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-15V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Nexperias dubbla N-kanal MOSFET på logisk nivå i ett LFPAK56D-paket, med ASFET-teknik (Application Specific) repetitiv avalanche-kiselteknik. Denna produkt har utformats och kvalificerats enligt AEC-Q101 för användning i repetitiva avalanche-tillämpningar.

Helt fordonskvalificerad enligt AEC-Q101 vid 175 °C

Repetitiv avalanche klassad för 30 °C Tj-ökning

Testad mot 1 Bn avalanche-händelser

LFPAK-förpackningsteknik med kopparklämma

Hög robusthet och tillförlitlighet

Gullwing-kablar för hög tillverkningsförmåga och AOI

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.