Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 243-4862
- Tillv. art.nr:
- PMV13XNEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
101,03 kr
(exkl. moms)
126,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 4,041 kr | 101,03 kr |
| 50 - 75 | 3,96 kr | 99,00 kr |
| 100 - 225 | 2,572 kr | 64,30 kr |
| 250 - 975 | 2,527 kr | 63,18 kr |
| 1000 + | 1,326 kr | 33,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-4862
- Tillv. art.nr:
- PMV13XNEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias N-kanalförstärkningsläge för fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med trench MOSFET-teknik.
Låg tröskelspänning
Utökat temperaturområde Tj = 175 °C
Trench MOSFET-teknik
Mycket snabb omkoppling
DC-till-DC-omvandling
Höghastighetsledningsdrivare
Lastomkopplare på låg sida
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV45EN2
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV40UN2
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE