Nexperia N Kanal, MOSFET, 4.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV40UN2
- RS-artikelnummer:
- 136-4862
- Tillv. art.nr:
- PMV40UN2R
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
130,40 kr
(exkl. moms)
163,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 6 000 enhet(er) levereras från den 03 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 1,304 kr | 130,40 kr |
| 600 - 1400 | 1,07 kr | 107,00 kr |
| 1500 + | 0,925 kr | 92,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 136-4862
- Tillv. art.nr:
- PMV40UN2R
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PMV40UN2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PMV40UN2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV40UN2
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 8 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2305CDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2319CDS
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108