Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- RS-artikelnummer:
- 241-9968
- Tillv. art.nr:
- BSC025N08LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
27,78 kr
(exkl. moms)
34,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 21 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 27,78 kr |
| 10 - 24 | 26,43 kr |
| 25 - 49 | 25,76 kr |
| 50 - 99 | 24,30 kr |
| 100 + | 22,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9968
- Tillv. art.nr:
- BSC025N08LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | BSC0 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie BSC0 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSC0-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 381 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC025N08LS5ATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den stöder lågspännings- och högströmstillämpningar och är avsedd för implementering där kompakt TDSON-förpackning och breda drifttemperaturer krävs.
Funktioner och fördelar:
• Mycket låg påslagningsresistans möjliggör minskade ledningsförluster
• 381 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• 40 V drain-source-klassning möjliggör lågspänningseffektsteg
• 81 W effektförlust möjliggör förhöjd effekthantering
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsövergångar
• Området −55 °C till +150 °C upprätthåller drift i extrema termiska förhållanden
• 381 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• 40 V drain-source-klassning möjliggör lågspänningseffektsteg
• 81 W effektförlust möjliggör förhöjd effekthantering
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsövergångar
• Området −55 °C till +150 °C upprätthåller drift i extrema termiska förhållanden
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlarkonstruktioner med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motorstyrningssteg som kräver 1,2 V framstegsspänning
• Kan användas i serverströmfördelningsmoduler
• Lämplig för ytmonterade strömförsörjningsenheter på kompakta kort
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motorstyrningssteg som kräver 1,2 V framstegsspänning
• Kan användas i serverströmfördelningsmoduler
• Lämplig för ytmonterade strömförsörjningsenheter på kompakta kort
Vilken monteringsstil krävs för kretskortsmontering?
Den levereras i en TDSON-kapsel avsedd för ytmonterad lödning på kretskortsskivor.
Vilka gränsspänningsgränser bör iakttas under drift?
Grinden får inte överstiga 20 V i förhållande till källan för att förhindra grindöverspänning.
Hur påverkar dess framåtriktade spänning ledning vid höga strömmar?
Den typiska framåtriktade spänningen är 1,2 V, vilket bidrar till kopplingsuppvärmning under hög belastning och bör beaktas i termisk konstruktion.
Vilka godkännanden och miljöhänsyn gäller?
Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar farliga ämnen i komponenten.
Vilka kanalegenskaper definierar omkopplingspolariteten?
Den använder en N-typ-ledningskanal som är lämplig för lågströmsomkoppling och vanliga högströmstopologier.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 30 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0