Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- RS-artikelnummer:
- 241-9875
- Tillv. art.nr:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
61,04 kr
(exkl. moms)
76,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 564 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 30,52 kr | 61,04 kr |
| 20 - 48 | 27,215 kr | 54,43 kr |
| 50 - 98 | 25,65 kr | 51,30 kr |
| 100 - 198 | 23,745 kr | 47,49 kr |
| 200 + | 22,065 kr | 44,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9875
- Tillv. art.nr:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | BSC0 | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie BSC0 | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor är en N-kanal MOSFET som är optimerad för högpresterande SMPS. Den är blyfri plätering och RoHS-kompatibel.
Kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 30 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™