Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (2 enheter, i en förpackning med 2)*

33,04 kr

(exkl. moms)

41,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 000 enhet(er) levereras från den 22 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1816,52 kr33,04 kr
20 - 4813,385 kr26,77 kr
50 - 9812,655 kr25,31 kr
100 - 19811,76 kr23,52 kr
200 +10,695 kr21,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
241-9703
Tillv. art.nr:
BSZ024N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

212A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

BSZ

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.7mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon BSZ-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 212 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ024N04LS6ATMA1


Denna MOSFET är en silikonbaserad N-kanal-omkopplingsenhet som är utformad för tillämpningar med hög strömstyrka i ytmonterade enheter. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för användning där låga ledningsförluster och robust grindhantering krävs.

Funktioner och fördelar:


• 0.7 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för högeffektiv drift
• 212 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• 40 V drain-source-klassning möjliggör lågspänningseffektsteg
• 81 W effektförlust hanterar termisk påfrestning vid hög belastning
• 80 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft
• 20 V gate-source-gränsen ger definierad gate-skyddsmarginal

Användningsområden


• Lämplig för motorstyrsteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Idealisk för primära eller synkrona steg i DC/DC-omvandlare
• Används med kraftelektronik i industriella drivsystem
• Kan användas för högströmsomkoppling i batterihantering
• Lämplig för ytmonteringsenheter som kräver kompakta PQFN-kapslar

Vilken kapslingstyp används för termisk och kretskortsmontering?


Den levereras i en PQFN-kapsel optimerad för ytmontering och värmeöverföring.

Vilket omgivningstemperaturområde tål den under drift?


Den fungerar i temperaturer från -55 °C upp till 175 °C för ett brett användningsområde.

Hur hanterar enheten kraven på grindstyrning?


Grinden kräver drivning som är kompatibel med en typisk grindladdning på 80 nC och får inte överstiga en 20 V Vgs-gräns.

Uppfyller enheten de vanliga e-materialdirektiven?


Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar vissa farliga ämnen.

Hur många elektriska anslutningar har paketet för kretskortslayout?


Enheten levereras med en 8-stiftskonfiguration för routing och termisk jorddesign.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.