Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 241-9884
- Tillv. art.nr:
- BSZ011NE2LS5IATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*
41 450,00 kr
(exkl. moms)
51 800,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 8,29 kr | 41 450,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9884
- Tillv. art.nr:
- BSZ011NE2LS5IATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 212A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TSDSON-8 FL | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 212A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TSDSON-8 FL | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor är en N-kanal MOSFET som är optimerad för högpresterande buck-omvandlare. Den är halogenfri enligt IEC61249-2-21.
Monolitisk integrerad Schottky-liknande diod
Mycket lågt motstånd under drift
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15.2 A 200 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 250 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 102 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7 A 200 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ