Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ

RS-artikelnummer:: 241-9702
Tillv. art.nr:: BSZ024N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

33 800,00 kr

(exkl. moms)

42 250,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 11 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,76 kr	33 800,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 241-9702
Tillv. art.nr:: BSZ024N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	212A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	BSZ
	Kapseltyp	PQFN
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Kanalläge	N
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 212A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie BSZ
	Kapseltyp PQFN
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Kanalläge N
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ024N04LS6ATMA1

Infineon BSZ-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 212 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ024N04LS6ATMA1

Denna MOSFET är en silikonbaserad N-kanal-omkopplingsenhet som är utformad för tillämpningar med hög strömstyrka i ytmonterade enheter. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för användning där låga ledningsförluster och robust grindhantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 0.7 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för högeffektiv drift
• 212 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• 40 V drain-source-klassning möjliggör lågspänningseffektsteg
• 81 W effektförlust hanterar termisk påfrestning vid hög belastning
• 80 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft
• 20 V gate-source-gränsen ger definierad gate-skyddsmarginal

Användningsområden

• Lämplig för motorstyrsteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Idealisk för primära eller synkrona steg i DC/DC-omvandlare
• Används med kraftelektronik i industriella drivsystem
• Kan användas för högströmsomkoppling i batterihantering
• Lämplig för ytmonteringsenheter som kräver kompakta PQFN-kapslar

Vilken kapslingstyp används för termisk och kretskortsmontering?

Den levereras i en PQFN-kapsel optimerad för ytmontering och värmeöverföring.

Vilket omgivningstemperaturområde tål den under drift?

Den fungerar i temperaturer från -55 °C upp till 175 °C för ett brett användningsområde.

Hur hanterar enheten kraven på grindstyrning?

Grinden kräver drivning som är kompatibel med en typisk grindladdning på 80 nC och får inte överstiga en 20 V Vgs-gräns.

Uppfyller enheten de vanliga e-materialdirektiven?

Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar vissa farliga ämnen.

Hur många elektriska anslutningar har paketet för kretskortslayout?

Enheten levereras med en 8-stiftskonfiguration för routing och termisk jorddesign.