Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

21 505,00 kr

(exkl. moms)

26 880,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +4,301 kr21 505,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
241-9684
Tillv. art.nr:
IAUC100N04S6L014ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM 6 N-kanal fordons-MOSFET har 40 V dräneringskällspänning (VDS) och 100 A dräneringsström (ID). Den har MOS-teknik i 5 x 6 mm 2 SS08 blyfritt paket med högsta kvalitetsnivå och robusthet för fordonstillämpningar.

OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar

N-kanal – Förbättringsläge – Logiknivå

AEC Q101-kvalificerade

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.