Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 241-9679
- Tillv. art.nr:
- BSZ017NE2LS5IATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
100,13 kr
(exkl. moms)
125,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 20,026 kr | 100,13 kr |
| 50 - 120 | 17,628 kr | 88,14 kr |
| 125 - 245 | 16,576 kr | 82,88 kr |
| 250 - 495 | 15,412 kr | 77,06 kr |
| 500 + | 14,156 kr | 70,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9679
- Tillv. art.nr:
- BSZ017NE2LS5IATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 212A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 212A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 5 N-kanals effekt-MOSFET har 25 V dräneringskällspänning (VDS) och 134 A dräneringsström (ID). Den erbjuder referenslösningar genom att möjliggöra högsta effekttäthet och energieffektivitet, både i standby-läge och i full drift. Den har bäst i klassen påslagningsresistans och har bredare användning i stationära datorer och servrar, spänningsregulatorer med hög effekttäthet, etc.
Optimerad för högpresterande buck-omvandlare
Monolitisk integrerad schottky-liknande diod
Mycket låg påslagningsresistans RDS(on) vid VGS = 4,5 V
100 % avalanche-testade
N-kanal
Godkänd enligt JEDEC1) för måltillämpningar
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 212 A 40 V P, 8 Ben, PQFN, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15.2 A 200 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ