Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- RS-artikelnummer:
- 241-9668
- Tillv. art.nr:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 241-9668
- Tillv. art.nr:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC0 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC0 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 5 N-kanals effekt-MOSFET har 25 V dräneringskällspänning (VDS) och 153 A dräneringsström (ID). Den ultralåg grind- och utgångsladdningen, tillsammans med lägsta påslagningsresistans i små kapslingar, gör den till det bästa valet för de krävande kraven på spänningsregulatorlösningar i servrar, datakommunikation och telekomtillämpningar. Det sparar totala systemkostnader genom att minska antalet faser i flerfasomvandlare och minska effektförluster och öka effektiviteten för alla belastningsförhållanden.
Optimerad för högpresterande Buck-omvandlare
Monolitisk integrerad schottky-liknande diod
Mycket låg påslagningsresistans RDS(on) vid VGS = 4,5 V
100 % avalanche-testade
N-kanal
Godkänd enligt JEDEC1) för måltillämpningar
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 30 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 100 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6 DSC, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0