Infineon N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- RS-artikelnummer:
- 236-3641
- Tillv. art.nr:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
221,20 kr
(exkl. moms)
276,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 44,24 kr | 221,20 kr |
| 50 - 120 | 38,976 kr | 194,88 kr |
| 125 - 245 | 36,288 kr | 181,44 kr |
| 250 - 495 | 34,092 kr | 170,46 kr |
| 500 + | 31,472 kr | 157,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3641
- Tillv. art.nr:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 479A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.45mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.35mm | |
| Längd | 5.49mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 479A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.45mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.35mm | ||
Längd 5.49mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM-serien MOSFET, 25 V maximal drain-källspänning, 479 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC004NE2LS5ATMA1
Denna MOSFET är en högströmshalvledare med N-kanal som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande kontinuerlig dräneringsström och låga ledningsförluster när den monteras i en TDSON-kapsel.
Funktioner och fördelar:
• 479 A kontinuerlig dräneringsström minskar ledningsbegränsningar för höga belastningar
• Maximal RDS(on) på 0.45 mΩ minskar energiförlusten i tillslagsläge
• 25 V maximal drain-källspänning möjliggör lågspänningseffektsteg
• Maximal effektförlust på 188 W stöder förhöjd termisk belastning
• 135 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling för grinddrivkonstruktion
• 20 V maximal gate-source-spänning möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• Maximal RDS(on) på 0.45 mΩ minskar energiförlusten i tillslagsläge
• 25 V maximal drain-källspänning möjliggör lågspänningseffektsteg
• Maximal effektförlust på 188 W stöder förhöjd termisk belastning
• 135 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling för grinddrivkonstruktion
• 20 V maximal gate-source-spänning möjliggör robusta gate-drivmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för högströms DC-strömfördelningsmoduler
• Idealisk för synkronlikriktelse i lågspänningsomvandlare
• Används med motorväxelriktare som kräver höga toppströmmar
• Kan användas för batterihantering och högeffektsceller
• Används för effektsteg i telekommunikationslikriktare
• Idealisk för synkronlikriktelse i lågspänningsomvandlare
• Används med motorväxelriktare som kräver höga toppströmmar
• Kan användas för batterihantering och högeffektsceller
• Används för effektsteg i telekommunikationslikriktare
Vilka omgivningstemperaturer tål den?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C.
Vilken kapsling och monteringsstil använder den?
Den levereras i en TDSON-kapsel för ytmontering.
Hur påverkar dess gate-drivkraftskrav designen?
135 nC grindladdning kräver en drivare av storleken för högre laddningsöverföring för att uppfylla önskad omkopplingshastighet och förluster.
Vilken kanalpolaritet använder den och hur påverkar det användningen?
Den använder en N-kanaltopologi, som är lämplig för switchande låg-sidor och synkrona likriktarkonfigurationer.
Vilka spännings- och strömgränser bör iakttas under konstruktionen?
Konstruktionen bör respektera en maximal dränering-källspänning på 25 V och en maximal kontinuerlig dräneringsström på 479 A.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 257 A 60 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS