Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- RS-artikelnummer:
- 236-3641
- Tillv. art.nr:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
221,20 kr
(exkl. moms)
276,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 44,24 kr | 221,20 kr |
| 50 - 120 | 38,976 kr | 194,88 kr |
| 125 - 245 | 36,288 kr | 181,44 kr |
| 250 - 495 | 34,092 kr | 170,46 kr |
| 500 + | 31,472 kr | 157,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3641
- Tillv. art.nr:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 479A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.45mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.49mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 479A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.45mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.49mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS effekt-MOSFET erbjuder referenslösningar genom att möjliggöra högsta effekttäthet och energieffektivitet, både i standby- och full drift. Den erbjuder en dräneringskälla på-motstånd på 0.45 m Ohm.
Högsta effektivitet
Högsta effekttäthet i SuperSO8-kapsel
Minskade totala systemkostnader
RoHS-kompatibel
Halogenfria
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 257 A 60 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS